天岳先进首席技术官任ICSCRM 2026晶体生长分会主席并主持首日论坛，多项碳化硅衬底技术获突破

近日，第23届国际碳化硅及相关材料会议(ICSCRM 2026)在日本横滨圆满落下帷幕。天岳先进首席技术官任晶体生长分会主席，主持大会首日分会论坛。

作为全球碳化硅及宽禁带材料领域规格最高、影响力最广的顶级学术行业盛会，ICSCRM汇聚了全球顶尖科研机构、行业领军企业与技术专家，聚焦晶体生长、器件应用、仪器设备等前沿产品和技术，共探宽禁带半导体产业创新发展新路径。

展会高光

受邀主题报告：液相法P型4H-SiC衬底的持续品质提升与优化

天岳先进以材料端的技术突破为抓手，积极打通从高质量P型衬底研发向下游高压SiC IGBT器件应用落地的链条，为国内宽禁带半导体产业链自主可控、下一代高压功率半导体器件的产业化发展筑牢关键的材料基础。天岳先进展台现场人潮涌动。导电型衬底全球份额领跑，先进光学、封装机遇巨大。除液相晶体制备邀请报告外，还展示全系列12英寸碳化硅衬底高质量制备与批量交付、近零缺陷衬底突破，广受关注。

行业盛会

《液相法》突破高压器件材料瓶颈，天岳先进液相法P型4H-SiC衬底实现缺陷与面型双突破。